怎么检测台积电和三星芯片

本文原创,禁止抄袭,违者必究!目前全球芯片制造领域制程最领先的是谁?毫无疑问,就是台积电。当中国大陆最先进的芯片制造厂商还在想办法完成14纳米量产突破时,台积电就已经

本文原创,禁止抄袭,违者必究!

目前全球芯片制造领域制程最领先的是谁?毫无疑问,就是台积电。当中国大陆最先进的芯片制造厂商还在想办法完成14纳米量产突破时,台积电就已经率先完成了5纳米量产。

对标台积电?三星3nm芯片成功流片,称新架构性能优于台积电

那么台积电是不是就没有对手呢?当然不是,韩国三星就是台积电最大的竞争对手。就在近日,外媒传来消息,三星正式宣布3nm芯片流片成功,意味着三星即将领先台积电迈入3纳米制程时代!

三星宣布3nm流片成功,超越台积电?

根据外媒6月29日传来的最新消息显示,三星正式宣布成功完成了3nm芯片流片,随后就将进入规模量产阶段。

对标台积电?三星3nm芯片成功流片,称新架构性能优于台积电

此外值得注意的是,三星声称其采用的乃是不同于台积电和英特尔的全新GAA架构,所以生产的芯片在性能上是优于台积电的。

当然,这只是三星的一家之言,其生产的芯片性能究竟如何还有待市场检验。

不过需要知道的是,在本月初由台积电举办的2021年技术研讨大会上,台积电高管曾透露其3纳米制程的最新进展,称3纳米将继续采用FinFET架构,相比于上一代工艺,N3(3纳米)不仅会有15%的性能提升,同时还会比N5(5纳米)功耗降低30%。

对标台积电?三星3nm芯片成功流片,称新架构性能优于台积电

更重要的是,台积电预计在2022年下半年即可实现3纳米芯片量产, 届时将会为苹果公司代工。

但是就目前看来,三星3纳米芯片已经流片成功,预计最快明年上半年即可实现规模量产,那么这是不是可以说三星已经领先了“吃老本”的台积电呢?

为什么说台积电“吃老本”?

这里我为什么要说台积电“吃老本”呢?其实还是和FinFET架构有关,三星之所以一直无法超越台积电,就是因为在FinFET架构技术上的技术积累不足。

对标台积电?三星3nm芯片成功流片,称新架构性能优于台积电

据悉,FinFET架构的发明者乃是美籍华人胡正明教授,其不仅是美国工程院院士,同时还是我国科学院的外籍院士。

教授的过往功绩我这里就不赘述了,简单一句话,如果没有胡教授发明的FinFET架构延续摩尔定律,那么全球半导体产业到现在可能都还无法突破20纳米及以下高端制程。

那么这和台积电有什么关系呢?

对标台积电?三星3nm芯片成功流片,称新架构性能优于台积电

写在最后

也正是因为胡正明教授的帮助,台积电这才能够在短短4年时间内完成了鳍式场效晶体管(FinFET)技术的积累,此后台积电的工艺都是在这个技术上进行拓展升级的,包括即将于2022年下半年量产的3纳米制程,采用的也是FinFET技术。

所以从某方面而言,台积电就是一直在吃FinFET技术的老本。

当然,就目前看来,3纳米已经逼近当前物理材料的极限,台积电或许再也享受不到FinFET技术的余荫了。(台积电2纳米制程将采用GAA架构)

写在最后

为全球半导体产业“续命”的乃是一位华裔教授,这是不是出乎了很多人的意料?

对标台积电?三星3nm芯片成功流片,称新架构性能优于台积电

事实上,华裔为全球半导体产业做出的贡献远不止于,按照中微半导体老总尹志尧的说法就是,关于集成电路产业,“我们给外国人做嫁衣,已经做了很多事情了!”

如今中国芯片供应量严重不足,究竟如何才能突破封锁,实现自研自造?

其实很简单,正如华为创始人任正非所说的那样,发展半导体产业,不仅要砸钱,更要砸数学家、物理学家!

对标台积电?三星3nm芯片成功流片,称新架构性能优于台积电

只要高级人才到位了,就算不能在短时间内取得突破,那么从长远发展来看,也算是保留了另辟蹊径,后来居上的可能性。

更何况,如今的硅基芯片已经趋近物理极限,这不正是中国芯片产业努力追赶的大好时机吗?

【版权声明】大城生活网提醒您:请在浏览本文信息时,请您务必阅读并理解本声明。本站部分内容以及图片来源于商家投稿和网络转载,如网站发布的有关的信息侵犯到您的权益,请及时与我们取得联系,邮箱:20451 17252#qq。com,我们会尊重您的决定并当天作出删除处理。

(0)
上一篇 2021年9月5日 10:28:38
下一篇 2021年9月5日 10:28:40

相关推荐

分享本页
返回顶部